三星正在本年6月末公布,其位于韩国的华城工场入手下手出产3nm芯片,采取全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技能。三星透露表现,取本来采取FinFET的5nm工艺相比,初代3nmGAA制程节点正在功耗、性能和面积(PPA)方面有分歧水平的改良,其面积减少了16%、性能进步23%、功耗低落45%。到了第二代3nm芯片,面积减少了35%、性能进步30%、功耗低落50%。